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崗位職責： 1.負責BCD工藝平臺的開發，制定工藝參數規范，完成開發目標； 2.負責和模組溝通對BCD平臺相關工藝進行優化以改善工藝窗口； 3.設計工藝實驗（DOE），優化關鍵工藝模塊（如高壓DMOS/LDMOS/VDMOS、CMOS、Bipolar、隔離技術、互連、鈍化等）的性能。 4.解決工藝開發過程中遇到的技術難題和挑戰（如高壓擊穿、熱載流子效應、閂鎖效應、可靠性失效等）； 5.負責客戶新產品新工藝的導入與開發； 6.平臺技術開發相關的在線lot處理工作； 7.負責WAT測試程式建立，數據分析和DOE實驗設計； 8.負責器件性能優化，SRAM良率提升，可靠性驗證等分析工作。 9.負責量產工藝和產品的工藝轉移、資料交接和后期技術支持； 任職要求： 學歷要求： 本科及以上學歷，電子信息、微電子、物理、材料等理工科相關專業，具有半導體物理及器件物理、集成電路制造等相關知識儲備； 工作經驗： BCD相關工藝研發或工藝整合經驗5年及以上（本科）或3年及以上（碩士），有12吋經驗優先； 專業技能： 1.熟悉BCD工藝流程； 2.熟悉BCD器件結構和具備較強的器件開發、器件測試和數據整理能力； 3.熟悉BCD工藝常見可靠性項目； 4.熟練掌握項目管理工具與方法，具備出色的團隊協作精神與溝通能力； 5.有180nm及以下節點BCD相關工藝 TD或PIE經驗者優先。 語言能力： 具備良好的英語聽說寫能力； 其他要求； 1.有較強的抗壓能力，積極主動推進項目進度； 2.能夠很好的總結工作內容并主動進行匯報； 3.有較強的發現問題和解決問題的能力，能夠迅速運用系統性思維與創新性方法，精準定位問題根源，制定高效解決方案； 4.品行端正，工作嚴謹，具有良好的組織、溝通和協調能力、抗壓能力強、有強烈的事業心和責任感；