崗位職責
1. 負責干法刻蝕(RIE、ICP-RIE、IBE等)設備的日常維護、工藝調試及優化,確保設備穩定運行。
2. 制定并優化干法刻蝕工藝方案,提高刻蝕速率、均勻性、選擇比等關鍵指標。
3. 分析刻蝕過程中的問題(如側壁形貌、殘留物、負載效應等),并提出解決方案。
4. 配合研發團隊進行新材料、新結構的刻蝕工藝開發,滿足產品需求。
5. 編寫工藝文件、操作規范,并對相關人員進行培訓。
6. 跟蹤行業先進技術,推動干法刻蝕工藝的持續改進和創新。
任職要求
1. 學歷要求:本科及以上學歷,微電子、材料科學、物理、化學工程等相關專業。
2. 工作經驗:
3年以上干法刻蝕工藝開發或設備維護經驗,熟悉RIE、ICP-RIE、IBE等干法刻蝕設備。
熟悉Si、SiO?、Si?N?、金屬(Al、Cu、Au、Ti、Cr、W等)、化合物半導體(GaAs、GaN等)及TSV通孔刻蝕工藝。
3. 技能要求:
熟悉干法刻蝕原理及工藝參數(氣體流量、功率、壓力、偏置電壓等)對刻蝕效果的影響。
能夠獨立進行DOE(實驗設計)和數據分析,優化刻蝕工藝。
具備故障排查能力,能解決刻蝕過程中的異常問題(如微負載效應、刻蝕殘留等)。
能分析刻蝕后的表面形貌和關鍵尺寸。
4. 優先考慮:
有半導體制造、MEMS、LED、功率器件等領域干法刻蝕經驗者優先。
5. 個人素質:
良好的團隊協作能力和溝通能力,能適應跨部門合作。
責任心強,具備較強的分析和解決問題的能力。