崗位職責:
1.定位DRAM芯片中對器件特性敏感的關鍵電路;
2.對電路進行分析建立關聯電路性能到器件特性的簡約模型;
3.設計Testkey 對關鍵電路電學特征進行測量;
4.結合PDK仿真以及Silicon數據對關鍵的技術問題做出判斷,并提供優化方案。
任職要求:
1.碩士及以上學歷,微電子、物理專業優先;
2.熟練使用Virtuso及其仿真,以及TCAD、Matlab/Python其中一種優先;
3.從事半導體器件研發仿真\設計工藝協同優化\存儲芯片相關設計驗證工作優先;
4.精通器件物理以及熟悉關鍵器件工藝;
5.熟悉半導體技術開發流程,熟悉PDK;
6.有一定模擬電路或數模混合電路基礎。