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招聘要求： 一、學歷與專業： 1.碩士研究生及以上學歷，材料科學、微電子、半導體物理、光學工程、機械制造等相關專業（應屆生可投，需具備半導體材料或工藝研究背景）； 2.本科學歷需具備2-3年以上半導體/光學元件研磨拋光領域工作經驗，熟悉CMP工藝或超精密加工技術者優先。 二、專業技能： 1.精通半導體材料特性及研磨拋光核心工藝（如CMP、超精密加工），掌握關鍵設備（如研磨機、拋光機、測厚儀）操作與調試； 2.了解紅外探測器工作原理及光學元件表面粗糙度、面型精度等關鍵指標，熟悉紅外探測器全工藝流程，能系統性分析工藝間交互影響（如研磨精度對鍍膜均勻性的影響）； 3.熟練使用SEM、AFM、白光干涉儀等檢測設備進行表面質量分析。 4.具備英文文獻閱讀能力（CET-4或同等水平），能快速理解技術資料并應用于研發實踐。 三、經驗要求： 1.有半導體晶圓、紅外材料加工經驗者優先； 2.參與過工藝改進項目或具備DOE實驗設計能力者優先。 四、軟性素質： 研發導向：目標清晰，具備技術前瞻性，能獨立制定研發計劃并推動落地； 嚴謹心細：對工藝細節敏感，嚴格遵循研發規范，確保數據真實性和可重復性。