崗位職責:
1、負責硅基、碳化硅基功率半導體器件(包含二極管、MOSFET、IGBT等)的功率模塊的工藝流程開發與關鍵工藝優化;
2、熟悉市場上的真空封裝設備,可以做工業級、車規級功率模塊制造產線工業設備的選型規劃與工藝管理;
3、負責功率模塊產品與封裝代工廠之間的技術協調。
任職要求:
1、本科及以上學歷,電力電子、微電子、電子科學、機械等與封裝技術相關專業,2年以上工作經驗;
2、具有IGBT、SIC功率半導體器件模塊的工藝開發經驗;
3、熟悉IGBT、SIC模塊的封裝工藝流程,尤其對引線鍵合、銀燒結、銅燒結等引線互連工藝有深入理解與經驗;
4、熟悉IGBT、SIC封裝模塊的測試方法;
5、踏實努力,積極主動,善于表達溝通,具有良好的團隊協作精神。
職位福利:五險一金、年底雙薪、加班補助、全勤獎、包住、交通補助、帶薪年假