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崗位職責:

1.負責SiC SBD、MOSFET，GaN HEMT等功率產品的工藝流程設計；

2.工藝DOE方案設計，與工程部門協同制定過程監控方案；

3.產品CP測試、WAT測試方案制定，并對數據進行分析整理；

4.工藝可靠性評估，與質量部門協同制定可靠性考核方案；

5.研發項目實施；

6.完成公司交給的其它任務。

任職要求:

1.學歷專業：微電子、半導體、材料科學等理工科本科以上學歷；

2.工作經驗：業界超過2年以上工作經驗，有功率半導體工作經驗優先；

3.知識技能：熟悉半導體功率器件結構、工藝、特性，具有半導體物理、半導體器件、半導體工藝基礎；熟練掌握8D、FMEA、CP、CSP等工具；熟悉ISO 9001基礎知識、標準要求運用；ISO19011 內審指南理解及運用；IATF16949基礎知識、標準條款運用；有害物質管理基礎知識；RE可靠性測試方法和標準等。

4.素質：素質：具備較強的學習能力，溝通能力和團隊協作能力好，邏輯思維清晰，抗壓能力強。