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工作地點：上海 1. 崗位職責（Responsibilities） 1.1 配合IGBT設計人員完成流片，建立工藝制造流程； 1.2 完成工藝認證各階段的文件及數據準備； 1.3 及時處理暫停的批次； 1.4 分析參數失效的原因； 1.5 優化工藝及控制； 1.6 設計工藝實驗，追蹤工程批的進展及驗證； 1.7 持續改進工藝PCM參數的CpK； 1.8 量產產品CP 良率提升，和FAB 相關低良率分析。 2 任職資格（Qualifications） 2.1 教育背景（Education） 微電子專業碩士學歷及以上，有FAB TD 或 PIE相關的工作經驗可適當放寬。 2.2 工作經驗（Work experience） 2.2.1有FAB TD 或PIE 、IGBT相關工作經驗兩年及以上； 2.2.2有TRENCH MOS 和8inch相關工作經驗者優先考慮 。 2.3 知識和技能（Knowledge and Skills） 2.3.1 熟悉晶體管原理，半導體物理，半導體器件，能運用專業知識分析并解決相關工藝問題； 2.3.2 掌握DOE方法，熟練運用數據統計，工藝模擬等技能支持合理的實驗設計； 2.3.3 熟悉DMOS, Superjunction，IGBT，FRD 等一種或多種工藝流程； 2.3.4 掌握8D方法來處理問題； 2.3.5 掌握PCM參數的測試方法及監控的原理； 2.3.6 熟悉APQP、FMEA、SPC基礎應用，知曉PPAP, MSA 等質量應用工具； 2.3.7 英語水平良好，能和海外客戶溝通交流。 2.4 其他（Others） 2.4.1 具備良好的團隊合作精神，能吃苦耐勞、適應一定強度的工作壓力； 2.4.2. 誠實守信、善于思考，性格積極主動、有創新精神。