北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司是中國電科產(chǎn)業(yè)基礎研究院下屬子公司。公司位于北京市順義區(qū)文良街15號，占地面積2.81萬平方米，建筑面積7.1萬平方米。公司主營業(yè)務為第三代半導體氮化鎵和碳化硅芯片、器件的設計、生產(chǎn)與銷售。國聯(lián)萬眾擁有一批從事核心材料、芯片、封裝等領域的專業(yè)人才和團隊，擁有核心專利和專有技術，氮化鎵射頻功放芯片達到國際領先水平，并已在世界主流通信公司得到規(guī)模應用；碳化硅二極管和MOSFET產(chǎn)品技術水平國際先進水平，并已在新能源汽車上開始批量應用。

公司同時擁有國家“雙創(chuàng)”支撐平臺、眾創(chuàng)空間、中關村硬科技孵化平臺、北京市科技企業(yè)孵化器等資質，是國家第三代半導體創(chuàng)新技術中心（北京）主要建設和運營單位。主要業(yè)務為第三代半導體工藝、封裝檢測、可靠性檢測以及科技服務。