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崗位職責： 1.主導BSI CIS工藝平臺的設計、開發和優化，包括像素結構設計、光路優化、背照式工藝整合等。 2.解決關鍵工藝難題（如硅片減薄、晶圓鍵合/解鍵合、深槽隔離、低損傷刻蝕等）。 3.負責CIS相關新工藝和新技術的研究并不斷優化現有工藝平臺； 4.與設計團隊合作完成像素架構和電路協同優化（如PD、TG、FD等結構設計）。 5.負責LOT流片，WAT數據分析和DOE實驗設計，分析良率損失原因，提出改進方案并實施。 6.完善CIS工藝特殊管控措施的建立和落實； 7.負責客戶新產品的導入與開發； 8.負責微透鏡和彩色濾光片等外協加工廠商的對接； 9.制定工藝規范，推動工藝從研發到量產的轉移。 10.跟蹤BSI CIS技術趨勢（如堆疊式CIS、3D集成等），規劃下一代工藝路線。 任職要求： 1.學歷要求：本科及以上學歷，微電子、物理、化學、材料、電氣等理工科相關專業，具有半導體物理及器件物理、集成電路制造等相關知識儲備； 2.工作經驗： （1）5年以上半導體工藝開發經驗，至少3年BSI CIS專項經驗（55nm及以下節點優先）。 （2）熟悉BSI CIS全流程工藝（如：前照式轉背照式工藝、硅通孔TSV、微透鏡陣列等）。 （3）有55nm/40nm等成熟節點量產經驗者優先。 3.專業技能： （1）熟悉FSI，BSI，Stack等不同的CIS工藝流程； （2）熟悉BSI CIS專利布局，能規避技術侵權風險； （3）熟悉CIS產品參數測試方法和判斷標準； （4）熟悉CIS工藝特殊管控的措施和注意事項； （5）熟悉產品開發流程，了解行業上下游供應鏈的主要供應商； （6）熟練掌握項目管理方法，具備出色的團隊協作精神與溝通能力； 4.語言能力： 具備很好的英語聽說寫能力； 5.其他要求； （1）有較強的主觀能動性，積極主動推進項目進度； （2）能夠很好的總結工作內容并主動進行匯報； （3）有較強的發現問題和解決問題的能力，能夠迅速運用系統性思維與創新性方法，精準定位問題根源，制定高效解決方案； （4）品行端正，工作嚴謹，具有良好的組織、溝通和協調能力、抗壓能力強、有強烈的事業心和責任感； 工作地點：四川成都 公司將會為您提供一個公平、公正、公開的發展平臺，期待您的加入！