詳細查看工作內容:
晶圓研發:
1.負責根據 MOSFET 器件的設計目標(如閾值電壓、導通電阻、開關速度等),與代工廠合作制定或優化工藝方案(如選擇工藝節點、調整摻雜濃度、柵極材料等)。確保器件設計與代工廠工藝能力(如光刻精度、蝕刻均勻性)匹配,解決工藝兼容性問題;
2.負責分析Wafer制造過程中的異常(如參數漂移、良率損失、可靠性失效),定位工藝步驟中的根源(如光刻偏移、刻蝕殘留、熱預算偏差等)。提出改進方案(如調整退火溫度、優化離子注入劑量),并通過 DOE(實驗設計)驗證效果;
3.負責與設計團隊協作,平衡性能、功耗和可靠性(如優化柵氧厚度、源漏工程);
4.負責制定量產工藝的驗收標準(如參數分布范圍、失效閾值);
5.負責建立并維護各fab及各平臺的工藝數據庫。
部門建設:
1.新員工培訓、培養,員工新技能的開發及培養,培養資料整理優化;
2.部門流程制度的建設、完善、優化以及監督實施;
3.部門輸出文件的標準化,統一性持續改善。
其他方面:
1.參與設計研發數據庫的建立;
2.對研發項目過程中的創新點,撰寫專利,進行保護。
詳細查看任職要求:
一、年齡:25歲以上;
二、教育水平:本科及以上學歷,碩士優先;
三、專業要求:電子、微電子相關專業;
四、知識要求:
1.了解APQP文件的相關內容;
2.了解晶圓設計及流片的工作標準與規范;
3.熟練掌握半導體器件知識以及半導體工藝知識;
4.了解晶圓的設計、版圖繪制、掩膜版制造等晶圓相關開發流程。
五、技能要求:
1.熟悉半導體物理與器件知識,深入理解 MOSFET 工作原理(如載流子輸運、短溝道效應、柵極堆疊結構);
2.精通制造工藝,熟悉 CMOS 工藝流程(如光刻、刻蝕、薄膜沉積、離子注入)及其對器件性能的影響;
3.具備數據分析能力,熟練使用統計工具(如 JMP、Python/Pandas)分析電性測試數據(如 Id-Vg、Id-Vd 曲線)、良率數據;
4.具備跨部門協作能力,能夠與設計團隊、代工廠工藝工程師等高效溝通;
5.具備問題解決思維,快速定位復雜問題的根源(如區分設計缺陷與工藝波動);
6.熟悉代工廠工藝設計套件(PDK)和設計規則(DRC/LVS);
7.了解先進工藝趨勢(如 FinFET、GAA FET)對 MOSFET 設計的影響;
8.掌握半導體行業標準(如 ISO 9001、IATF 16949)和供應鏈管理邏輯。
六、工作經驗: 3年以上半導體晶圓研發相關工作經驗;
七、健康要求: 身體健康,無不良嗜好;
八、其他要求: 有一定的洞察能力,較強的邏輯分析能力。具有良好的溝通能力和團隊協作精神,獨立工作能力強。性格開朗,有積極認真負責的態度,有較強的團隊合作精神。